碳化硅陶瓷烧结工艺主要有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结这四种。其作用如下：
　　采用无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件，因此，被认为是SiC陶瓷的烧结方法。
　　采用热压烧结工艺只能制备简单形状的SiC部件，而且一次热烧结过程所制备的产品数量很小，因而，不利于商业化生产。
　　采用热等静压工艺可以获得复杂形状的SiC制品，但对素坯进行包封，所以，也很难实现工业化生产。
　　通过反应烧结工艺可以制备出复杂形状的SiC部件，而且其烧结温度较低，但是，反应烧结SiC陶瓷的高温性能较差。
　　碳化硅陶瓷的性能因烧结法的不同而不同，下面就为大家分享下无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结中碳化硅陶瓷的性能。